半導体原料

電子グレードのバルク多結晶シリコンは、改良シーメンス法によって製造される高純度半導体原料です。緻密で塊状の岩石のような形態を持ち、粒子サイズは通常数センチメートルから数十センチメートルに及びます。この製品は、厳格な化学気相成長法を用いて製造され、99.9%から119.99%という超高純度を実現しており、チョクラルスキー法による単結晶シリコン棒引き抜きやウェハ製造の主要原料となっています。バルク形態では優れた純度安定性を示し、半導体業界における主流のシリコン材料形態として、ロジックチップ、メモリチップ、パワー半導体、その他のハイエンド電子機器の製造に広く使用されています。

当社では、シラン流動床法を用いて電子グレードの粒状ポリシリコンを製造しています。高純度シランガスを原料とし、流動床反応器内で加熱分解することで、均一な形状の球状シリコン粒子を得ています。 この粒状シリコンは、超高純度、優れた流動性、そしてロットごとの安定した品質を誇ります。半導体単結晶の引き上げ工程における連続供給に最適です。 従来の塊状ポリシリコンとは異なり、これらの粒子は使用前に粉砕する必要がありません。自動供給装置に直接投入できるため、汚染リスクを低減し、生産効率を向上させます。 当社は、業界基準に基づき、あらゆる不純物レベルを厳密に管理しています。当社の粒状シリコンの純度は9N～11Nに達し、半導体製造に求められる厳格な基準を完全に満たしています。