高純度シリコン加工部品

シリコンウェーハは、高純度単結晶シリコン棒を切断、研削、エッチング、研磨などの精密加工によって製造される薄い円形のウェーハです。半導体チップ製造における基本的な基板材料であり、集積回路のキャリアとして、フォトリソグラフィ、エッチング、蒸着、イオン注入などのプロセスを経て、表面に数十億個のトランジスタと相互接続が形成されます。最終的に、ウェーハはダイシングされ、チップとしてパッケージ化されます。シリコンウェーハの純度、平坦度、表面清浄度、結晶品質は、チップ製造における歩留まりとデバイス性能を直接左右します。 当社製シリコンウェハーは、先進的なMCZファラド技術で製造された高純度単結晶シリコンロッドを原料とし、マルチワイヤ切断、両面研削、化学エッチング、精密研磨などの工程を経て製造されています。製品の純度は99.9999999%以上、平面度（TTV）は3マイクロメートル以下、表面粗さは0.1ナノメートル以下に抑えられています。製品径は2インチから12インチまで幅広く取り揃えており、研磨済みウェハー、アニール済みウェハー、エピタキシャルウェハーなど、様々なタイプをご用意しています。また、お客様のご要望に応じて、導電率、抵抗率、結晶方位の異なるカスタムシリコンウェハーもご提供可能です。

シリコンリングは、高純度単結晶または多結晶シリコンを精密加工して作られるリング状のシリコン部品です。半導体エッチング装置やプラズマ処理装置において重要な消耗部品となっています。シリコンリングは通常、プラズマエッチング装置、物理蒸着（PVD）装置、化学蒸着（CVD）装置などの半導体プロセス装置の反応室に設置され、プラズマの集束、チャンバー内壁の保護、電界分布の均一化、プロセス均一性の制御といった役割を果たします。シリコンリングは、単結晶シリコンの高純度性、耐プラズマ腐食性、優れた熱伝導性および電気伝導性を活用し、過酷なプラズマ環境下でも安定した物理化学的特性を維持します。 当社製シリコンリング製品は、先進的なMCZファラド技術で製造された高純度単結晶または多結晶シリコンを使用しています。切削、研削、穴あけ、研磨など複数の精密加工工程を経て製造され、純度99.99999999%以上、寸法精度±0.1mm以内、表面粗さ0.1マイクロメートル以下を実現しています。製品仕様は、2インチから12インチまでのエッチング装置に対応する各種サイズのフォーカシングリング、保護リング、エッジリングを網羅しており、特注設計も承っております。

シリコンロッドは、チョクラルスキー（CZ）法またはゾーンメルティング法を用いて成長させた高純度円筒形シリコン結晶であり、半導体ウェハ製造におけるコア材料です。シリコンロッドは、電子グレードの多結晶シリコンを高温で溶融し、制御された成長条件下で種結晶をガイドとして、完全な結晶構造を持つ単結晶シリコンロッド、または複数の結晶粒からなる多結晶シリコンロッドを形成します。単結晶シリコンロッドは、均一な結晶方位と欠陥のない格子構造を持つため、集積回路やパワーデバイスなどのハイエンド半導体チップの基板製造に適しています。多結晶シリコンロッドは、コスト面での優位性から、主に太陽電池や一部のローエンド半導体デバイスに使用されています。当社のシリコンロッドは、高度なMCZ（磁気チョクラルスキー）技術を用いて成長させており、抵抗率の均一性は5%以内に制御され、純度は99.9999999%を超えています。製品の直径は2インチから12インチまで幅広く取り揃えており、お客様のご要望に応じて、導電型（N型／P型）、抵抗率範囲、結晶方位の異なるシリコンロッドをカスタマイズしてご提供できます。