電子グレード多結晶シリコン（粒子）

当社では、シラン流動床法を用いて電子グレードの粒状ポリシリコンを製造しています。高純度シランガスを原料とし、流動床反応器内で加熱分解することで、均一な形状の球状シリコン粒子を得ています。
この粒状シリコンは、超高純度、優れた流動性、そしてロットごとの安定した品質を誇ります。半導体単結晶の引き上げ工程における連続供給に最適です。
従来の塊状ポリシリコンとは異なり、これらの粒子は使用前に粉砕する必要がありません。自動供給装置に直接投入できるため、汚染リスクを低減し、生産効率を向上させます。
当社は、業界基準に基づき、あらゆる不純物レベルを厳密に管理しています。当社の粒状シリコンの純度は9N～11Nに達し、半導体製造に求められる厳格な基準を完全に満たしています。

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商品詳細

a) 製品の特徴と利点

高純度レベル

当社の粒状電子シリコンは、9N～11Nの純度を実現しています。ドナー不純物は0.15ppba以下、アクセプター不純物は0.10ppba以下です。炭素と酸素はともに0.05ppma以下に抑えられており、厳格な半導体製造基準を完全に満たしています。

粉砕工程は不要です

塊状のポリシリコンとは異なり、これらのシリコン粒子はそのまま使用できます。粉砕作業が一切不要なので、粉砕時に混入する不純物も防げます。また、粉砕工程にかかる労力と設備コストも削減できます。

優れた流量性能

すべての粒子は丸く均一で、標準サイズは約2mmです。自動供給装置内をスムーズに流れます。これは、連続供給式のCZ結晶引き抜きラインに最適で、全体の生産速度を大幅に向上させます。

バッチ間で安定した品質

当社では、すべての製造ロットについて徹底した純度および品質検査を実施しています。そのため、組成は常に一定に保たれています。お客様は、ロットごとの品質変動による生産の不安定さを心配することなく、大量注文を行うことができます。

信頼性の高い安定した供給

当社は、通威、天宏、盛工、友岩といった国内主要多結晶シリコン工場と長期的な協力関係を築いています。すべての製品は明確なトレーサビリティを確保しており、お客様の生産停止を避けるため、納期を厳守いたします。

優れたコストパフォーマンス

当社の価格は、輸入シリコンブランドよりもはるかに競争力があります。安定した高純度品質を維持しながら、原材料費を削減できます。

b) 製品パラメータ

製品名：電子グレード粒状ポリシリコン（シラン流動床法）
形状：均一な球状ペレット、サイズ範囲0.8～2.5mm、一般的なサイズ2mm
かさ密度：1.2 g/cm³以上
純度基準：電子グレード、9N～11N
体積抵抗率：100～300Ω・cm、お客様のニーズに合わせて調整可能
不純物許容値：ドナー ≤0.15 ppba、アクセプター ≤0.10 ppba、炭素 ≤0.05 ppma、酸素 ≤0.05 ppma
包装：5kg、10kg、25kgの袋をご用意しております。ご要望に応じて包装仕様を調整することも可能です。

応用分野

半導体単結晶引き上げ用。CZ結晶成長ライン、特に自動連続供給装置を備えた工場に最適です。ペレットはフィーダーに直接投入できます。塊状ポリシリコンと混合することで、結晶引き上げ効率が向上し、供給操作もより柔軟になります。
高効率太陽電池。N型TOPCon、HJT、その他の高性能セル技術に最適です。高純度粒状シリコンを安定して使用することで、太陽電池の変換効率を高めます。
半導体用シリコン材料のブレンド：適切な比率で塊状ポリシリコンと混合し、引き上げ効率と材料コストのバランスを取り、さまざまな工場生産プロセスに適合させる。

よくある質問

Q：粒状ポリシリコンと塊状ポリシリコンの違いは何ですか？

A：粒状シリコンは、シラン流動床法によって製造されます。滑らかで丸いペレット状で、そのまま使用でき、流動性も良く、自動供給にも適しています。塊状シリコンは、改良されたシーメンス法によって製造され、不規則な大きな塊状で、使用前に粉砕する必要があります。どちらのタイプにもそれぞれ長所があります。作業工程に応じて、どちらか一方を選択することも、両方を組み合わせて使用することもできます。

Q：粒状シリコンには金属不純物が含まれていますか？

A：そのようなことはありません。原料には超高純度シランガスを使用し、成膜反応はすべて密閉された流動床反応器内で行われます。製造工程のあらゆる段階で不純物の混入を厳しく防いでいます。すべてのバッチは、電子機器グレードの要件を満たすために、重金属検査に合格しています。

Q：最小注文数量はいくつですか？

A：最小注文数量（MOQ）は、お客様の実際の需要によって異なります。正確な価格とMOQの詳細については、弊社の営業チームまでお問い合わせください。

Q：納期はどれくらいですか？

A：在庫のある通常商品は、ご注文確定後7～15営業日でお届けいたします。正確な納期は、ご注文量、在庫状況、配送方法によって変動します。納期を確定するためには、事前に弊社スタッフまでお問い合わせいただくことをお勧めします。

質問：検査用のサンプルを入手できますか？

A：弊社ではお客様向けにテストサンプルをご提供しております。サンプル数には限りがございますので、サンプル申請手続きについては弊社の営業担当者までお問い合わせください。

質問：材料試験報告書を受け取ることはできますか？

A：すべての出荷品には、純度、粒度、抵抗率、その他の主要指標を網羅した完全な試験書類が付属しています。報告書は出荷前にメールで送付することも、貨物に紙媒体で添付することも可能です。

太陽エネルギーの性能向上。

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シリコンウェハー

シリコンウェーハは、高純度単結晶シリコン棒を切断、研削、エッチング、研磨などの精密加工によって製造される薄い円形のウェーハです。半導体チップ製造における基本的な基板材料であり、集積回路のキャリアとして、フォトリソグラフィ、エッチング、蒸着、イオン注入などのプロセスを経て、表面に数十億個のトランジスタと相互接続が形成されます。最終的に、ウェーハはダイシングされ、チップとしてパッケージ化されます。シリコンウェーハの純度、平坦度、表面清浄度、結晶品質は、チップ製造における歩留まりとデバイス性能を直接左右します。当社製シリコンウェハーは、先進的なMCZファラド技術で製造された高純度単結晶シリコンロッドを原料とし、マルチワイヤ切断、両面研削、化学エッチング、精密研磨などの工程を経て製造されています。製品の純度は99.9999999%以上、平面度（TTV）は3マイクロメートル以下、表面粗さは0.1ナノメートル以下に抑えられています。製品径は2インチから12インチまで幅広く取り揃えており、研磨済みウェハー、アニール済みウェハー、エピタキシャルウェハーなど、様々なタイプをご用意しています。また、お客様のご要望に応じて、導電率、抵抗率、結晶方位の異なるカスタムシリコンウェハーもご提供可能です。

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シリコンリング

シリコンリングは、高純度単結晶または多結晶シリコンを精密加工して作られるリング状のシリコン部品です。半導体エッチング装置やプラズマ処理装置において重要な消耗部品となっています。シリコンリングは通常、プラズマエッチング装置、物理蒸着（PVD）装置、化学蒸着（CVD）装置などの半導体プロセス装置の反応室に設置され、プラズマの集束、チャンバー内壁の保護、電界分布の均一化、プロセス均一性の制御といった役割を果たします。シリコンリングは、単結晶シリコンの高純度性、耐プラズマ腐食性、優れた熱伝導性および電気伝導性を活用し、過酷なプラズマ環境下でも安定した物理化学的特性を維持します。当社製シリコンリング製品は、先進的なMCZファラド技術で製造された高純度単結晶または多結晶シリコンを使用しています。切削、研削、穴あけ、研磨など複数の精密加工工程を経て製造され、純度99.99999999%以上、寸法精度±0.1mm以内、表面粗さ0.1マイクロメートル以下を実現しています。製品仕様は、2インチから12インチまでのエッチング装置に対応する各種サイズのフォーカシングリング、保護リング、エッジリングを網羅しており、特注設計も承っております。

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シリコンロッド

シリコンロッドは、チョクラルスキー（CZ）法またはゾーンメルティング法を用いて成長させた高純度円筒形シリコン結晶であり、半導体ウェハ製造におけるコア材料です。シリコンロッドは、電子グレードの多結晶シリコンを高温で溶融し、制御された成長条件下で種結晶をガイドとして、完全な結晶構造を持つ単結晶シリコンロッド、または複数の結晶粒からなる多結晶シリコンロッドを形成します。単結晶シリコンロッドは、均一な結晶方位と欠陥のない格子構造を持つため、集積回路やパワーデバイスなどのハイエンド半導体チップの基板製造に適しています。多結晶シリコンロッドは、コスト面での優位性から、主に太陽電池や一部のローエンド半導体デバイスに使用されています。当社のシリコンロッドは、高度なMCZ（磁気チョクラルスキー）技術を用いて成長させており、抵抗率の均一性は5%以内に制御され、純度は99.9999999%を超えています。製品の直径は2インチから12インチまで幅広く取り揃えており、お客様のご要望に応じて、導電型（N型／P型）、抵抗率範囲、結晶方位の異なるシリコンロッドをカスタマイズしてご提供できます。

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石英るつぼ

石英るつぼは、高純度石英砂を高温アーク溶解法で製造した半透明または透明な容器です。半導体単結晶シリコン成長プロセスにおける重要な消耗品です。石英るつぼは、極めて高い純度、優れた高温強度、良好な熱安定性を備えています。主にチョクラルスキー法による単結晶成長炉で使用され、多結晶シリコン原料を保持し、1400℃を超える温度でシリコン原料を溶融してシリコン溶融物を作り、単結晶シリコン棒を引き出すための清浄な溶融環境を提供します。石英るつぼは、合成石英るつぼと天然石英るつぼの2種類に大別されます。合成石英るつぼは、純度が高く水酸基含有量が低いため、大型単結晶シリコンの引き出しプロセスに適しています。当社の石英るつぼは、輸入した高純度石英砂を原料とし、高度なアーク溶解装置とクリーンな製造プロセスを経て製造されています。製品の純度は99.99%以上に達し、サイズ範囲は8インチから32インチまでの単結晶炉のニーズに対応します。

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グラファイト部品

高純度グラファイト部品は半導体製造工程の中核部品であり、高純度グラファイトを基材として精密加工によって製造されます。高純度グラファイトとは、炭素含有量が99.99%以上のグラファイト材料を指し、高強度、高密度、耐高温性、耐酸化性、優れた電気伝導性および熱伝導性、良好な耐熱衝撃性、自己潤滑性、耐腐食性、精密加工の容易性といった利点を有しています。半導体業界では、高純度グラファイト部品は主に単結晶成長炉の熱処理システム、エピタキシャル装置、イオン注入装置、エッチング装置などの主要な工程で使用されます。具体的な製品形態としては、グラファイトるつぼ、グラファイトヒーター、グラファイト電極、グラファイトボート、グラファイトサセプター、グラファイトシールド、グラファイトノズル、グラファイトライナーなどがあります。

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電子グレード多結晶シリコン（バルク）

電子グレードのバルク多結晶シリコンは、改良シーメンス法によって製造される高純度半導体原料です。緻密で塊状の岩石のような形態を持ち、粒子サイズは通常数センチメートルから数十センチメートルに及びます。この製品は、厳格な化学気相成長法を用いて製造され、99.9%から119.99%という超高純度を実現しており、チョクラルスキー法による単結晶シリコン棒引き抜きやウェハ製造の主要原料となっています。バルク形態では優れた純度安定性を示し、半導体業界における主流のシリコン材料形態として、ロジックチップ、メモリチップ、パワー半導体、その他のハイエンド電子機器の製造に広く使用されています。

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