Кремниевые стержни
Кремниевые стержни

Кремниевые стержни

Кремниевые стержни — это высокочистые цилиндрические кристаллы кремния, выращенные с использованием метода Чохральского (CZ) или зонной плавки, и являются основным материалом в производстве полупроводниковых пластин. Кремниевые стержни изготавливаются из поликристаллического кремния электронного качества, который плавится при высоких температурах, а затем направляется затравками в контролируемых условиях роста для образования монокристаллических кремниевых стержней с полной кристаллической структурой или поликристаллических кремниевых стержней, состоящих из множества зерен. Монокристаллические кремниевые стержни имеют однородную кристаллическую ориентацию и бездефектную решетчатую структуру, что делает их пригодными для производства подложек для высококачественных полупроводниковых микросхем, таких как интегральные схемы и силовые устройства. Поликристаллические кремниевые стержни, благодаря своей ценовой выгоде, в основном используются в фотоэлектрических элементах и ​​некоторых недорогих полупроводниковых устройствах. Кремниевые стержни нашей компании выращиваются с использованием передовой технологии MCZ (магнитного Чохральского), с однородностью удельного сопротивления, контролируемой в пределах 5%, и чистотой, превышающей 99,9999999%. Диаметр изделий варьируется от двух до двенадцати дюймов, и мы можем изготовить кремниевые стержни на заказ с различными типами проводимости (N-тип/P-тип), диапазонами удельного сопротивления и ориентацией кристаллов в соответствии с потребностями заказчика.

Подробная информация о товаре

а) Характеристики и преимущества продукта

Стандарт сверхвысокой чистоты

Все наши кремниевые слитки изготавливаются из поликристаллического кремния электронного качества. Мы строго контролируем процессы вытягивания кристаллов, чтобы обеспечить чистоту выше 9N. Содержание донорных примесей не превышает 0,15 ppba, акцепторных — 0,10 ppba, а содержание углерода и кислорода ограничено максимум 0,05 ppma. Этот сверхчистый базовый материал гарантирует превосходные электрические характеристики и низкий уровень дефектов на нарезанных кремниевых пластинах для последующего производства микросхем.

Равномерное удельное сопротивление по всей поверхности слитка.

Мы используем технологию магнитной кристаллизации MCZ. Магнитные поля подавляют конвекцию жидкого кремния, обеспечивая гораздо более равномерное распределение легирующих примесей. Наши слитки поддерживают радиальное отклонение удельного сопротивления в пределах 5% с небольшими осевыми колебаниями. Стабильное удельное сопротивление обеспечивает равномерные условия обработки для покупателей и способствует повышению выхода годных микросхем.

Низкий уровень внутренних микродефектов

В процессе производства мы точно настраиваем расположение теплового поля, скорость вытягивания и параметры вращения кристалла. Это значительно уменьшает количество дислокаций и мельчайших кристаллических дефектов внутри слитков. Полная кристаллическая структура предотвращает дефекты поверхности на последующих этапах полировки и эпитаксии, что делает пластины пригодными для использования в передовых технологических процессах, таких как подложки для 7-нм и 14-нм техпроцессов.

Доступно множество вариантов выращивания кристаллов.

Мы поставляем слитки, изготовленные различными методами вытяжки, чтобы удовлетворить разнообразные производственные потребности.

Монокристаллические слитки CZ: основной выбор для производства интегральных схем и силовых полупроводниковых устройств.

  • Слитки, полученные методом флотационной плавки: сверхнизкое содержание кислорода и повышенная чистота, подходят для высоковольтных силовых компонентов и радиочастотных микросхем.
  • Поликристаллические слитки: экономически выгодны, в основном для производства солнечных элементов и специальных заказов.

Полностью настраиваемые характеристики

Мы изготавливаем кремниевые слитки, полностью соответствующие требованиям вашего производственного процесса. Доступные опции включают тип проводимости N/P, широкий диапазон удельного сопротивления (от 0,001 до 10 000 Ом·см), ориентацию кристаллических плоскостей (100 / 110 / 111 и т. д.), диаметр от 2 до 12 дюймов и нестандартную длину. Наша техническая команда может дать целевые рекомендации по выбору материала после изучения сценариев вашего применения.

Стабильное качество между партиями.

Мы проводим полный цикл контроля качества поликремния, от входного контроля до тестирования готовых стержней. Каждая партия проходит измерение размеров, сканирование удельного сопротивления и анализ примесей; все протоколы испытаний полностью отслеживаемы. Мы поддерживаем долгосрочные стабильные каналы поставок с ведущими отечественными производителями поликремния, обладающими крупномасштабными производственными мощностями. Стабильное качество партий снижает вашу нагрузку на входной контроль и предотвращает нестабильность производства из-за различий в материалах.

Полные протоколы испытаний и поддержка независимой инспекции.

К каждому кремниевому стержню прилагается полный комплект документов, подтверждающих соответствие стандартам: размеры, распределение удельного сопротивления, тип легирования, уровень примесей, ориентация кристаллов и плотность дислокаций. Мы приветствуем предложения клиентов о проведении повторной проверки в независимых лабораториях. Наши инженеры также предоставляют техническую поддержку, помогая вам проверить материалы и оптимизировать производственные линии.

б) Параметры продукта

Название изделия: Кремниевый стержень (доступны монокристаллические и поликристаллические варианты)

  • Технологический процесс производства: моностержни изготавливаются методом зонной плавки или плавки в расплавленном состоянии; полимерные стержни – методом направленной кристаллизации.
  • Форма: цилиндрическая
  • Стандартные диаметры: 2 / 3 / 4 / 6 / 8 / 12 дюймов; возможны нестандартные размеры.
  • Допуск по диаметру: ±0,5 мм; для стержней длиной 8 дюймов и более допуск составляет ±0,3 мм.
  • Длина: стандартная 1–2 метра, регулируется по запросу.
  • Тип проводимости: N-тип (легирование фосфором/мышьяком/сурьмой) или P-тип (легирование бором)
  • Диапазон удельного сопротивления: Низкое сопротивление: 0,001–0,1 Ом·см Среднее сопротивление: 0,1–100 Ом·см Высокое сопротивление: 100–10 000 Ом·см, полностью настраиваемое
  • Равномерность удельного сопротивления моностержней MCZ: радиальное ≤5%, осевое колебание ≤15%.
  • Ориентация кристалла: стандартная 100 / 110 / 111, поддерживаются пользовательские специальные ориентации.
  • Стандарт чистоты: монокристаллический кремний ≥9N; поликристаллический кремний ≥6N
  • Предельные значения примесей: Донор ≤0,15 ppba, Акцептор ≤0,10 ppba. Монокристаллическая рамановская смола: C ≤0,05 ppma, O ≤0,05 ppma. Монокристаллическая рамановская смола, полученная методом флотации: O ≤0,01 ppma.
  • Плотность дислокаций: менее 500 шт./см²
  • Время жизни неосновных носителей заряда: N-тип >1000 мкс; P-тип >500 мкс
  • Документ о поставке: К каждому стержню прилагается полный протокол испытаний, охватывающий все вышеуказанные основные показатели.

Области применения

  1. Производство кремниевых пластин для интегральных схем. Монокристаллические слитки проходят нарезку, шлифовку и полировку, превращаясь в базовые пластины для логических, запоминающих и аналоговых микросхем. Мы поставляем полноразмерные стержни: 6 дюймов для отлаженных производственных линий, до 12 дюймов для передовых процессов с использованием миниатюрных технологических узлов.
  2. Силовые полупроводниковые компоненты. Пластины, вырезанные из монокристаллических стержней, используются для изготовления силовых диодов, MOSFET и IGBT-транзисторов. Кремний, полученный методом зонной плавки, отличается сверхнизким содержанием кислорода и высоким сопротивлением, что идеально подходит для высоковольтных тиристоров, мощных IGBT-модулей и других высокопроизводительных электронных компонентов.
  3. Производство МЭМС и датчиков. Однородная кристаллическая структура и контролируемые кристаллические плоскости делают моностержни идеальными подложками для МЭМС. Они широко используются в акселерометрах, гироскопах, датчиках давления и микрозеркальных матрицах; ориентация кристалла и удельное сопротивление напрямую определяют стабильность устройства и выход годной продукции.
  4. Производство солнечных элементов. Поликристаллические стержни и монокристаллические стержни солнечного качества являются основными сырьевыми материалами для фотоэлектрических панелей. После нарезки, диффузии, нанесения покрытия и печати кремниевые пластины превращаются в солнечные элементы, которые затем собираются в модули. Доля монокристаллического кремния продолжает расти по мере распространения высокоэффективных технологий производства солнечных элементов.
  5. Запасные части для полупроводникового оборудования. Кремниевые стержни нестандартных размеров могут быть переработаны в кремниевые кольца, лодочки, электроды и перегородки, используемые в установках для травления, диффузии и эпитаксии. Высокая чистота материала, устойчивость к плазме и стабильные тепловые характеристики продлевают срок службы основных компонентов оборудования.
  6. Лабораторные исследования материалов и разработка новых продуктов. Высокочистые кремниевые стержни с заданными кристаллическими плоскостями используются для поддержки исследований материалов, тестирования прототипов новых чипов и разработки эпитаксиальных подложек. Мы принимаем мелкосерийные заказы на продукцию различных спецификаций для поддержки ваших научно-исследовательских проектов.

 

Часто задаваемые вопросы

В: В чем разница между силиконовыми стержнями CZ и стержнями с плавающей зоной? Как выбрать подходящий вариант?

A: Стержни, полученные методом Чохральского, расплавляют поликремний внутри кварцевых тиглей и вытягивают монокристаллы вверх с помощью затравки. Они обладают умеренным содержанием кислорода, высокой механической прочностью, позволяют получать стержни большого диаметра и стоят дешевле. Это основной материал для большинства интегральных схем и обычных силовых устройств. Стержни, полученные методом плавающей зоны, нагревают локальные участки поликремния, образуя зоны расплава, которые поднимаются вверх, образуя монокристаллы без тиглей. Содержание кислорода остается чрезвычайно низким, чистота и однородность удельного сопротивления превосходны, однако максимальный диаметр ограничен менее чем 6 дюймами, что приводит к более высокой стоимости. Он подходит для высоковольтных, мощных и чувствительных к кислороду радиочастотных микросхем. Рекомендация: Стержни, полученные методом Чохральского, выбираются для обычных интегральных схем и обычных силовых устройств; стержни, полученные методом плавающей зоны, рекомендуются для устройств с напряжением выше 1200 В, мощных тиристоров и радиочастотных устройств.

 

В: Чем отличаются кремниевые стержни N-типа от кремниевых стержней P-типа?

A: В кремнии N-типа используются пятивалентные легирующие примеси, такие как фосфор и мышьяк; основными носителями заряда являются электроны с высокой подвижностью. В кремнии P-типа используется легирование бором, основными носителями заряда становятся дырки. Заводы по производству микросхем выбирают типы в зависимости от компоновки устройства. Пластины P-типа доминируют в традиционных линиях CMOS-технологий благодаря отработанному технологическому процессу и более низкой стоимости. Перед размещением заказа уточните особенности проектирования и производства вашей микросхемы.

 

В: Как удельное сопротивление кремниевого стержня влияет на характеристики готового устройства?

A: Удельное сопротивление определяет проводимость кремния и напрямую влияет на конечные электрические характеристики. Низкое сопротивление (0,001–0,1 Ом·см): сильно легированные подложки для силовых устройств и эпитаксиальных базовых пластин. Среднее сопротивление (0,1–100 Ом·см): стандартный выбор для основных логических, запоминающих и аналоговых микросхем. Высокое сопротивление (100–10 000 Ом·см): для высоковольтного оборудования, радиочастотных микросхем и прецизионных датчиков; стержни, полученные методом плавающей зоны, могут достигать сверхвысокого удельного сопротивления более 10 000 Ом·см. Подберите параметры удельного сопротивления в соответствии с конструкцией вашего устройства и технологическим окном.

 

В: Почему ориентация кристалла имеет значение для кремниевых стержней?

A: Ориентация кристалла описывает внутреннее расположение кристаллической решетки, обозначаемое индексами Миллера, такими как 100, 110 и 111. Различные ориентации обуславливают разную плотность атомов и химическую активность, изменяя скорость окисления, качество эпитаксии и подвижность носителей заряда на последующих этапах. Плоскость 100 широко используется в КМОП-чипах из-за низкой плотности дефектов на границе раздела; 110 подходит для некоторых силовых полупроводников и МЭМС-датчиков; 111 в основном используется для эпитаксиальных подложек и специальных устройств. Мы производим стержни с заданными кристаллическими плоскостями по требованию заказчика.

 

В: Какой допуск вы контролируете для диаметра стержня?

A: Стандартные стержни обеспечивают погрешность диаметра в пределах ±0,5 мм. Для размеров 8 дюймов и более мы ужесточаем допуск до ±0,3 мм. Точный контроль размеров позволяет избежать дефектов краев пластин и потерь сырья во время нарезки.

В: Какой у вас минимальный объем заказа (MOQ) и сроки поставки?

A: Минимальный объем заказа зависит от диаметра и удельного сопротивления. Для стандартных изделий обычно требуется 1–2 стержня; для изделий с нестандартными параметрами могут потребоваться большие партии. Срок поставки стандартных товаров со склада составляет 14–28 рабочих дней после подтверждения предоплаты; для изделий, изготовленных по индивидуальному заказу, требуется 4–6 недель. Фактический срок поставки зависит от количества заказа, характеристик и наличия товара на складе. Для уточнения сроков свяжитесь с нашим отделом продаж заранее.

 

В: Могу ли я получить образцы для лабораторных исследований?

A: Образцы предоставляются для проверки заказчиком. Обычно мы предлагаем небольшие отрезки стержней диаметром 2/3 дюйма или тестовые пластины. Количество образцов ограничено, свяжитесь с отделом продаж для уточнения формальностей при подаче заявки. Наша техническая команда также предоставляет консультации по подбору параметров процесса во время тестирования образцов.

 

В: Как вы гарантируете стабильное качество всех партий?

А: Мы применяем комплексный контроль качества, охватывающий просеивание сырья, вытягивание кристаллов, резку и тестирование готовой продукции. Каждая партия проходит многократные испытания на удельное сопротивление, тип легирования, содержание примесей, кристаллическую плоскость и плотность дислокаций, при этом все данные отслеживаются. Мы постоянно сотрудничаем с крупными отечественными поставщиками поликристаллического кремния для стабилизации качества сырья и снижения влияния колебаний в партиях.

 

Новости и объявления

Последние статьи

Наши услуги

услуги по контролю качества

услуги по контролю качества

Мы располагаем полным комплектом оборудования для тестирования полупроводниковых материалов, что позволяет проводить комплексные проверки чистоты, удельного сопротивления, размеров, поверхностных дефектов и т.д., а также выдавать профессиональные протоколы испытаний.
Узнайте больше
услуги по управлению цепочками поставок

услуги по управлению цепочками поставок

Предоставить клиентам комплексное решение для цепочки поставок полупроводниковых материалов, включающее централизованные закупки, управление запасами, доставку точно в срок, логистическую поддержку и т.д.
Узнайте больше
фон

Сотрудничайте с нами для получения надежных полупроводниковых решений.

Независимо от того, нужны ли вам стандартные полупроводниковые материалы или нестандартные технические характеристики, наша команда экспертов-инженеров готова помочь. Отправьте свои требования прямо сейчас и получите подробное профессиональное предложение в течение 24 часов.

Запросить ценовое предложение

    Дом
    WhatsApp
    Электронная почта
    Связаться с нами