кремниевые пластины
кремниевые пластины

кремниевые пластины

Кремниевые пластины — это тонкие круглые пластины, изготовленные из высокочистых монокристаллических кремниевых стержней с помощью высокоточной обработки, включающей резку, шлифовку, травление и полировку. Они являются основным подложечным материалом для производства полупроводниковых микросхем. В качестве носителя интегральных схем на поверхности кремниевых пластин формируются миллиарды транзисторов и межсоединений с помощью таких процессов, как фотолитография, травление, осаждение и ионная имплантация. Наконец, их разрезают и упаковывают в микросхемы. Чистота, плоскостность, чистота поверхности и качество кристаллов кремниевых пластин напрямую определяют выход годной продукции и производительность устройств в производстве микросхем.
Кремниевые пластины нашей компании изготавливаются из высокочистых монокристаллических кремниевых стержней, полученных с помощью передовой фарадной технологии MCZ, посредством таких процессов, как многопроволочная резка, двусторонняя шлифовка, химическое травление и прецизионная полировка. Чистота продукции может достигать более 99,9999999%, плоскостность (TTV) контролируется на уровне менее трех микрометров, а шероховатость поверхности может составлять всего 0,1 нанометра. Диаметр изделий варьируется от двух до двенадцати дюймов, предлагаются различные типы, включая полированные пластины, отожженные пластины и эпитаксиальные пластины. По запросу заказчика также могут быть предоставлены кремниевые пластины, изготовленные на заказ, с различными типами проводимости, диапазонами удельного сопротивления и кристаллической ориентацией.

Подробная информация о товаре

а) Характеристики и преимущества продукта

Сверхчистая, высокочистая, с минимальным количеством кристаллических дефектов.

Мы производим наши кремниевые пластины, начиная с поликремния электронного класса. Монокристаллические стержни MCZ, которые мы получаем методом вытягивания, достигают чистоты выше 9N, при этом содержание углерода и кислорода строго поддерживается на сверхнизком уровне. Мы оптимизируем процессы вытягивания кристаллов для устранения микродефектов и снижения плотности дислокаций внутри пластин, создавая высококачественный базовый материал для производства современных микросхем. Содержание примесей железа, меди, алюминия, кальция, натрия и других металлов контролируется на уровне частей на миллиард (ppb), поэтому чистота поверхности пластин соответствует всем стандартам производства полупроводников.

Точная плоскостность и стабильные геометрические размеры

Для достижения высочайшей плоскостности мы используем передовое оборудование для многопроводной резки и двухсторонней шлифовки. Значение TTV не превышает 3 мкм, изгиб – 20 мкм, деформация – 25 мкм. Жесткий контроль этих геометрических параметров обеспечивает стабильность фокальной плоскости во время литографии и травления, что эффективно повышает выход годных микросхем.

Различные варианты отделки поверхности для разных целей

Мы поставляем кремниевые пластины с различной обработкой поверхности, чтобы соответствовать различным производственным линиям.

  • Полированные пластины: обработаны методом химико-механической полировки (CMP), шероховатость поверхности Ra менее 0,1 нм, без повреждений слоев; подходят для большинства видов производства интегральных схем.
  • Отожженные пластины: проходят высокотемпературную термообработку для уменьшения осаждения кислорода и проблем, связанных с тепловыми донорами, что улучшает электрическую однородность подложки.
  • Эпитаксиальные пластины: тонкая монокристаллическая кремниевая пленка выращивается на полированных поверхностях пластин. Они содержат меньше дефектов и обеспечивают высокоточный контроль удельного сопротивления, что идеально подходит для силовых и радиочастотных микросхем со строгими стандартами качества подложки.

Полностью настраиваемые характеристики

Мы корректируем параметры пластин в соответствии с вашими точными производственными потребностями. К настраиваемым параметрам относятся тип проводимости N/P, диапазон удельного сопротивления (от 0,001 до более 10 000 Ом·см), кристаллическая ориентация (100 / 110 / 111), диаметр от 2 до 12 дюймов, толщина, тип поверхности и форма кромок. Наша техническая команда может порекомендовать подходящие материалы после изучения области применения вашей продукции.

Строгое управление чистотой на протяжении всего производственного процесса.

Производство кремниевых пластин осуществляется в чистых помещениях класса от 1000 до 100. На каждом этапе обработки соблюдаются строгие правила контроля за частицами. Заключительная влажная очистка тщательно удаляет поверхностные частицы, ионы металлов и органические остатки. Каждое изделие проходит проверку на наличие поверхностных частиц и металлических примесей в соответствии с отраслевыми стандартами. Перед отправкой продукция упаковывается в вакуумную упаковку, чтобы избежать загрязнения во время транспортировки и хранения.

Стабильное качество каждой партии.

Мы осуществляем полный контроль качества, охватывающий все этапы — от просеивания сырья до проверки готовых пластин. Каждая партия проходит полное геометрическое измерение, сканирование дефектов поверхности и тестирование электрических характеристик, при этом все данные испытаний полностью отслеживаемы. Стандартизированные производственные линии и стабильные поставки поликристаллического кремния обеспечивают однородность качества партий. Это снижает нагрузку на входной контроль и предотвращает колебания производства, вызванные нестабильным качеством материала.

Допускается предоставление полного комплекта испытательной документации и проведение проверки третьей стороной.

Каждая партия поставляется с полными протоколами испытаний, охватывающими все основные показатели: геометрию (диаметр, толщина, TTV, изгиб, деформация), состояние поверхности (количество частиц, царапины, ямки), электрические характеристики (тип легирования, удельное сопротивление, время жизни носителей заряда) и уровни примесей (кислород, углерод, тяжелые металлы). При необходимости вы можете организовать повторные проверки в сторонних лабораториях, а наши инженеры окажут техническую поддержку в проверке материалов и подборе технологического процесса.

б) Параметры продукта

Продукт: Кремниевая пластина (монокристаллический/поликристаллический варианты)

  • Сырье: монокристаллические пластины, вырезанные из стержней монокристаллов, полученных методом Чохральского; поликристаллические пластины, вырезанные из поликристаллических слитков.
  • Форма: Круглая тонкая пластинка с фигурными краями; варианты обработки краев: плоская основная, плоская дополнительная, V-образный надрез.
  • Стандартные диаметры: 2” (50 мм) / 3” (76 мм) / 4” (100 мм) / 6” (150 мм) / 8” (200 мм) / 12” (300 мм); возможны нестандартные размеры.
  • Допуск по диаметру: ±0,2 мм
  • Стандартная толщина и допуск: 6 дюймов: 500–700 мкм; 8 дюймов: 600–800 мкм; 12 дюймов: 700–850 мкм. Допуск по толщине: ±15 мкм.
  • Геометрические показатели: TTV ≤3 мкм, изгиб ≤20 мкм, деформация ≤25 мкм; плоскостность SFQR 12-дюймовой пластины ≤0,13 мкм, полностью контролируемый спад по краю.
  • Типы поверхности: односторонняя полировка, двусторонняя полировка, отжиг, эпитаксиальная полировка. Полированная пластина Ra < 0,1 нм. Толщина эпитаксиального слоя настраиваемая: 2–10 мкм, удельное сопротивление слоя регулируется по запросу.
  • Стандарт содержания частиц на поверхности: для пластин размером 8 дюймов и более — ≤50 шт. частиц размером более 0,13 мкм на пластину.
  • Тип легирования: N-тип (легирование P/As/Sb); P-тип (легирование B)
  • Диапазон удельного сопротивления: Низкий: 0,001–0,1 Ом·см Средний: 0,1–100 Ом·см Высокий: 100–10 000+ Ом·см Допуск по удельному сопротивлению: ±10%
  • Время жизни неосновных носителей заряда: N-тип >1000 мкс; P-тип >500 мкс
  • Ориентация кристалла: стандартная 100 / 110 / 111, поддерживаются пользовательские ориентации.
  • Предельные значения содержания примесей: Кислород: 1,0×10¹⁷ ~ 1,4×10¹⁸ см⁻³ Углерод: <5,0×10¹⁵ см⁻³
  • В комплекте поставки: каждая партия поставляется с полными протоколами испытаний, охватывающими геометрию, качество поверхности, электрические свойства и данные о примесях.

Области применения

  1. Пластины для производства логических микросхем служат основой для процессоров, видеокарт, мобильных процессоров и микроконтроллеров. Передовые технологические процессы, такие как 3 нм и 5 нм, требуют сверхплоских, чистых пластин с низким уровнем дефектов. Наши полированные и отожженные пластины подходят как для зрелых, так и для передовых линий производства логических микросхем.
  2. Для производства микросхем памяти DRAM и 3D NAND требуются миллиарды элементов памяти на поверхности пластин. Геометрическая стабильность и качество поверхности имеют решающее значение, особенно для многослойной 3D NAND, где плоскостность пластины напрямую влияет на равномерность нанесения многослойной пленки. Наши пластины соответствуют строгим стандартам массового производства памяти.
  3. В силовых полупроводниковых компонентах — диодах, MOSFET, IGBT и модулях из карбида кремния — в основном используются сильно легированные подложки с тонкими слаболегированными эпитаксиальными слоями. Эпитаксиальные пластины являются здесь основным выбором благодаря точному удельному сопротивлению и низкому уровню дефектов. Мы поставляем эпитаксиальные пластины, подходящие для силовых устройств с напряжением от 600 В до 1200 В и выше.
  4. Аналоговые и смешанные сигнальные микросхемы. Для обеспечения точности согласования и низкого уровня шума этим микросхемам необходимы равномерное удельное сопротивление пластины и длительное время жизни неосновных носителей заряда. Наши высококачественные пластины, полученные методами Чохральского и зонной плавки, отвечают этим производственным требованиям.
  5. Производство MEMS-устройств и датчиков. MEMS-устройства, такие как датчики давления и акселерометры, основаны на определенных кристаллических плоскостях (широко используется плоскость 111). Мы подбираем ориентацию кристаллов на подложке в соответствии с уникальными требованиями MEMS-процесса.
  6. Фотодетекторы и солнечные элементы. Пластины также используются для оптического обнаружения и производства фотоэлектрических элементов. Пластины солнечного класса не предъявляют высоких требований к чистоте и геометрии, что обеспечивает лучшую экономическую эффективность. Мы предлагаем несколько классов чистоты, чтобы удовлетворить различные бюджетные и эксплуатационные требования.

Часто задаваемые вопросы

В: Чем отличаются полированные, отожженные и эпитаксиальные пластины? Как сделать выбор?

A: Полированные пластины проходят резку, шлифовку и полную полировку. Отсутствие поверхностного повреждения, сверхгладкая поверхность; наиболее универсальный вариант для стандартного производства ИС. Отожженные пластины — это полированные пластины, обработанные высокотемпературным нагревом. Они уменьшают осаждение кислорода и эффекты термического донора, стабилизируя электрические характеристики, что важно для линий со строгими требованиями к однородности подложки. Эпитаксиальные пластины выращивают тонкую монокристаллическую кремниевую пленку на полированных подложках. Плотность дефектов значительно ниже, а удельное сопротивление можно точно контролировать. Функциональные слои устройств располагаются внутри эпитаксиальной пленки, а подложка обеспечивает механическую поддержку. Они широко используются в силовых, радиочастотных и дискретных полупроводниковых устройствах. Рекомендация: В стандартных ИС используются полированные пластины; для строгих требований к электрической однородности следует выбирать отожженные пластины; для силовых и радиочастотных устройств рекомендуются эпитаксиальные пластины.

В: Почему плоскостность пластины так важна?

А: Плоскостность пластины напрямую влияет на контроль фокусировки при литографии. В современных процессах диапазон фокусировки чрезвычайно узок и составляет всего несколько сотен нанометров. Неровности поверхности пластины приводят к появлению нерезких рисунков, что вызывает обрывы или короткие замыкания на готовых микросхемах. Показатель TTV измеряет общую однородность толщины; изгиб показывает разницу высот между центром и краем; деформация отражает общее скручивание. Мы строго контролируем все три показателя, чтобы соответствовать требованиям к стабильности фокусировки литографического оборудования.

В: Какую роль играют кремниевые пластины N-типа и P-типа в производстве интегральных схем?

A: Оба типа материалов используются в качестве подложек, выбор которых зависит от конструкции устройства и технологического процесса. P-типы пластин доминируют в традиционных линиях CMOS-технологий благодаря отработанной технологии производства и более низкой стоимости. N-типы подложек демонстрируют лучшие характеристики в некоторых силовых и радиочастотных микросхемах. В стандартных CMOS-схемах используются P-типы пластин с N- и P-областями для NMOS и PMOS транзисторов соответственно. Мы поставляем оба типа легирования в зависимости от требований вашего технологического процесса.

В: Как выбрать правильное удельное сопротивление кремниевой пластины?

A: Выбор удельного сопротивления полностью зависит от типа целевого устройства. Низкое удельное сопротивление (0,001–0,1 Ом·см): сильно легированная основа для силовых устройств и эпитаксиальных подложек. Среднее удельное сопротивление (0,1–100 Ом·см): стандарт для логических, запоминающих и аналоговых ИС. Высокое удельное сопротивление (100–10 000+ Ом·см): для радиочастотного, высоковольтного оборудования и датчиков, снижающее паразитные емкости и потери сигнала. Пластины, полученные методом зонной плавки, могут достигать сверхвысокого удельного сопротивления выше 10 000 Ом·см. Подберите диапазон удельного сопротивления в соответствии со спецификациями вашего устройства; наша техническая команда может предоставить профессиональную консультацию.

В: Какие преимущества имеют 8-дюймовые и 12-дюймовые кремниевые пластины соответственно?

A: 12-дюймовая пластина покрывает примерно в 2,25 раза большую площадь, чем 8-дюймовая, поэтому за один цикл можно произвести больше микросхем, что снижает себестоимость производства отдельных чипов. Она в основном используется для массового производства современных логических микросхем и микросхем памяти. 8-дюймовые пластины имеют более низкие затраты на амортизацию оборудования и полностью отработанные технологические процессы, лучше подходят для аналоговых микросхем, силовых полупроводников, MEMS-датчиков и мелкосерийного производства нескольких моделей. Мы поставляем оба размера, чтобы соответствовать масштабу вашего производства и позиционированию продукта.

В: Какие ключевые параметры проверяются во время контроля качества кремниевых пластин?

А: Тестирование охватывает четыре основные категории:

  1. Геометрия: диаметр, толщина, TTV, изгиб, деформация, профиль кромки.
  2. Качество поверхности: количество частиц, царапины, ямки, пятна, дефекты кристаллической структуры.
  3. Электрические характеристики: тип легирования, удельное сопротивление, время жизни носителей заряда, содержание кислорода и углерода.
  4. Механические характеристики: прочность на разрыв, твердость. К каждой партии прилагаются полные протоколы испытаний, охватывающие все вышеперечисленные параметры. Если у вас есть особые требования к испытаниям, наша техническая команда может организовать повторную проверку независимой третьей стороной.

В: Есть ли какие-либо особые правила упаковки и транспортировки вафель?

A: Пластины — это сверхточные изделия, чувствительные к пыли и ударам. Все готовые пластины упаковываются в чистых помещениях класса 1000: полированной стороной вверх в чистые коробки для пластин, заполненные азотом, затем вакуумно упаковываются в антистатические пакеты и амортизирующие внешние картонные коробки. Избегайте сильных трясок и резких перепадов температуры во время транспортировки. Распакуйте и осмотрите товар в чистых помещениях класса 1000 или выше сразу после получения. Немедленно свяжитесь с нашей службой поддержки, если обнаружите какие-либо повреждения упаковки.

В: Могу ли я заказать небольшие партии и запросить пробные образцы?

A: Мы поддерживаем тестирование образцов и заказы небольших партий. Партии образцов обычно составляют от 5 до 25 штук; свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы обсудить формальности, связанные с подачей заявки на образцы. Наша техническая команда оказывает полную поддержку на этапах проверки образцов и подбора технологического процесса. Клиенты, успешно прошедшие тестирование образцов и перешедшие на оптовые заказы, получат льготные цены и стабильные долгосрочные поставки.

Новости и объявления

Последние статьи

Наши услуги

услуги по контролю качества

услуги по контролю качества

Мы располагаем полным комплектом оборудования для тестирования полупроводниковых материалов, что позволяет проводить комплексные проверки чистоты, удельного сопротивления, размеров, поверхностных дефектов и т.д., а также выдавать профессиональные протоколы испытаний.
Узнайте больше
услуги по управлению цепочками поставок

услуги по управлению цепочками поставок

Предоставить клиентам комплексное решение для цепочки поставок полупроводниковых материалов, включающее централизованные закупки, управление запасами, доставку точно в срок, логистическую поддержку и т.д.
Узнайте больше
фон

Сотрудничайте с нами для получения надежных полупроводниковых решений.

Независимо от того, нужны ли вам стандартные полупроводниковые материалы или нестандартные технические характеристики, наша команда экспертов-инженеров готова помочь. Отправьте свои требования прямо сейчас и получите подробное профессиональное предложение в течение 24 часов.

Запросить ценовое предложение

    Дом
    WhatsApp
    Электронная почта
    Связаться с нами