高純度矽加工零件

矽片是由高純度單晶矽棒經切割、研磨、蝕刻和拋光等精密加工而成的薄圓形晶片，是半導體晶片製造的基礎基板材料。作為積體電路的載體，矽片表面透過光刻、蝕刻、沉積和離子注入等製程形成數十億個電晶體和互連線。最終，矽片被切割並封裝成晶片。矽片的純度、平整度、表面清潔度和晶體品質直接決定了晶片製造的良率和裝置性能。 本公司生產的矽片採用先進的MCZ法拉技術生產的高純度單晶矽棒，經多線切割、雙面研磨、化學蝕刻和精密拋光等製程製成。產品純度可達99.9999999%以上，平面度（TTV）控制在3微米以下，表面粗糙度低至0.1奈米。產品直徑範圍從2英寸到12英寸，提供拋光片、退火片和外延片等多種類型。此外，我們還可根據客戶需求提供不同導電類型、電阻率範圍和晶體取向的客製化矽片。

矽環是由高純度單晶或多晶矽經精密加工製成的環狀矽元件，是半導體蝕刻和等離子體處理設備中的關鍵耗材。矽環通常安裝在等離子蝕刻機、物理氣相沉積（PVD）機和化學氣相沉積（CVD）機等半導體製程設備的反應腔內，用於聚焦等離子體、保護腔體內壁、均勻化電場分佈以及控制製程均勻性。矽環利用單晶矽的高純度、耐等離子腐蝕性以及優異的導熱性和導電性，在嚴苛的等離子體環境中維持穩定的物理化學性質。 本公司生產的矽環產品採用先進的MCZ法拉技術製造的高純度單晶或多晶矽。產品經過切割、研磨、鑽孔及拋光等多道精密加工工序，純度高達99.99999999%，尺寸精度在±0.1毫米以內，表面粗糙度低於0.1微米。產品規格涵蓋適用於2英吋至12英吋蝕刻設備的各種尺寸的聚焦環、保護環和邊緣環，並可提供客製化設計。

矽棒是採用直拉法（CZ）或區域熔煉法生長的高純度圓柱形矽晶體，是半導體晶圓製造的核心材料。矽棒由電子級多晶矽製成，經高溫熔化後，在可控生長條件下，由籽晶引導生長，形成具有完整晶體結構的單晶矽棒或由多個晶粒組成的多晶矽棒。單晶矽棒具有均勻的晶體取向和無缺陷的晶格結構，適用於積體電路和功率元件等高階半導體晶片的基板製造。多晶矽棒由於成本優勢，主要用於光伏電池和一些低階半導體裝置。本公司採用先進的磁性直拉法（MCZ）技術生長矽棒，電阻率均勻性控制在5%以內，純度超過99.9999999%。產品直徑範圍從兩英寸到十二英寸，我們可以根據客戶需求提供不同導電類型（N 型/P 型）、電阻率範圍和晶體取向的客製化矽棒。