Các bộ phận được xử lý bằng silicon có độ tinh khiết cao

Các tấm silicon là những tấm mỏng, tròn được làm từ các thanh silicon đơn tinh thể có độ tinh khiết cao thông qua quá trình gia công chính xác bao gồm cắt, mài, khắc và đánh bóng. Chúng là vật liệu nền cơ bản cho việc sản xuất chip bán dẫn. Là chất mang của các mạch tích hợp, các tấm silicon có hàng tỷ bóng bán dẫn và các đường kết nối được hình thành trên bề mặt của chúng thông qua các quy trình như quang khắc, khắc, lắng đọng và cấy ion. Cuối cùng, chúng được cắt nhỏ và đóng gói thành chip. Độ tinh khiết, độ phẳng, độ sạch bề mặt và chất lượng tinh thể của các tấm silicon quyết định trực tiếp tỷ lệ sản lượng và hiệu suất thiết bị trong sản xuất chip. Các tấm silicon của công ty chúng tôi được sản xuất từ ​​các thanh silicon đơn tinh thể có độ tinh khiết cao bằng công nghệ MCZ farad tiên tiến, thông qua các quy trình như cắt đa dây, mài hai mặt, khắc hóa học và đánh bóng chính xác. Độ tinh khiết của sản phẩm có thể đạt trên 99,9999999%, độ phẳng (TTV) được kiểm soát dưới ba micromet và độ nhám bề mặt có thể thấp đến 0,1 nanomet. Đường kính sản phẩm dao động từ hai inch đến mười hai inch, cung cấp nhiều loại khác nhau bao gồm tấm silicon được đánh bóng, tấm silicon được ủ và tấm silicon kết tinh. Chúng tôi cũng có thể cung cấp các tấm silicon tùy chỉnh với các loại dẫn điện, phạm vi điện trở suất và hướng tinh thể khác nhau theo nhu cầu của khách hàng.

Vòng silicon là các linh kiện silicon hình vòng được chế tạo từ silicon đơn tinh thể hoặc đa tinh thể có độ tinh khiết cao thông qua gia công chính xác. Chúng là các linh kiện tiêu hao quan trọng trong thiết bị khắc bán dẫn và xử lý plasma. Vòng silicon thường được lắp đặt trong buồng phản ứng của thiết bị xử lý bán dẫn như máy khắc plasma, máy lắng đọng hơi vật lý (PVD) và máy lắng đọng hơi hóa học (CVD), có chức năng tập trung plasma, bảo vệ thành bên trong buồng, đồng nhất phân bố điện trường và kiểm soát tính đồng nhất của quá trình. Vòng silicon tận dụng độ tinh khiết cao, khả năng chống ăn mòn plasma và độ dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời của silicon đơn tinh thể để duy trì các tính chất lý hóa ổn định trong môi trường plasma khắc nghiệt. Các sản phẩm vòng silicon của công ty chúng tôi sử dụng silicon đơn tinh thể hoặc đa tinh thể có độ tinh khiết cao được sản xuất bằng công nghệ MCZ farad tiên tiến. Chúng được sản xuất thông qua nhiều quy trình gia công chính xác bao gồm cắt, mài, khoan và đánh bóng, đạt độ tinh khiết trên 99,99999999%, độ chính xác kích thước trong phạm vi ±0,1 mm và độ nhám bề mặt dưới 0,1 micromet. Thông số kỹ thuật sản phẩm bao gồm nhiều kích thước vòng hội tụ, vòng bảo vệ và vòng viền cho thiết bị khắc từ 2 inch đến 12 inch, và chúng tôi cũng nhận thiết kế theo yêu cầu.

Các thanh silicon là các tinh thể silicon hình trụ có độ tinh khiết cao được nuôi cấy bằng phương pháp Czochralski (CZ) hoặc phương pháp nóng chảy vùng, và là vật liệu cốt lõi trong sản xuất tấm bán dẫn. Các thanh silicon được làm từ silicon đa tinh thể cấp điện tử, được nung chảy ở nhiệt độ cao và sau đó được dẫn hướng bởi các tinh thể mầm dưới điều kiện tăng trưởng được kiểm soát để tạo thành các thanh silicon đơn tinh thể có cấu trúc tinh thể hoàn chỉnh hoặc các thanh silicon đa tinh thể bao gồm nhiều hạt. Các thanh silicon đơn tinh thể có định hướng tinh thể đồng nhất và cấu trúc mạng tinh thể không có khuyết tật, làm cho chúng phù hợp để sản xuất chất nền cho các chip bán dẫn cao cấp như mạch tích hợp và thiết bị điện. Các thanh silicon đa tinh thể, do lợi thế về chi phí, chủ yếu được sử dụng trong các tế bào quang điện và một số thiết bị bán dẫn cấp thấp. Các thanh silicon của công ty chúng tôi được nuôi cấy bằng công nghệ MCZ (Czochralski từ tính) tiên tiến, với độ đồng nhất điện trở suất được kiểm soát trong vòng 5% và độ tinh khiết vượt quá 99,9999999%. Đường kính sản phẩm dao động từ hai inch đến mười hai inch, và chúng tôi có thể cung cấp các thanh silicon tùy chỉnh với các loại dẫn điện khác nhau (loại N/loại P), phạm vi điện trở suất và hướng tinh thể khác nhau theo nhu cầu của khách hàng.