Les creusets en quartz sont des récipients translucides ou transparents fabriqués à partir de sable de quartz de haute pureté par fusion à l'arc électrique à haute température. Ils constituent des consommables essentiels au procédé de croissance du silicium monocristallin. Les creusets en quartz présentent une pureté extrêmement élevée, une excellente résistance aux hautes températures et une bonne stabilité thermique. Ils sont principalement utilisés dans les fours de croissance monocristalline Czochralski pour contenir les matières premières de silicium polycristallin. La fusion du silicium à des températures supérieures à 1400 °C permet d'obtenir un bain de silicium propre, propice à l'étirage de barres de silicium monocristallin. On distingue deux grandes catégories de creusets en quartz : les creusets en quartz synthétique et les creusets en quartz naturel. Les creusets en quartz synthétique, plus purs et à plus faible teneur en groupes hydroxyle, sont particulièrement adaptés à l'étirage de monocristaux de silicium de grande taille. Nos creusets en quartz sont fabriqués à partir de sable de quartz importé de haute pureté, grâce à des équipements de fusion à l'arc électrique de pointe et des procédés de production rigoureux. La pureté du produit peut atteindre plus de 99,99 %, et la gamme de tailles couvre les besoins des fours monocristallins de 8 à 32 pouces.

Les pièces en graphite de haute pureté sont des composants essentiels des procédés de fabrication des semi-conducteurs. Fabriquées à partir de graphite de haute pureté comme matériau de base, elles sont usinées avec précision. Le graphite de haute pureté désigne un matériau graphitique dont la teneur en carbone est supérieure ou égale à 99,99 %. Il présente de nombreux avantages, tels qu'une résistance mécanique et une densité élevées, une excellente résistance aux hautes températures et à l'oxydation, une conductivité électrique et thermique remarquable, une bonne résistance aux chocs thermiques, des propriétés autolubrifiantes, une résistance à la corrosion et une facilité d'usinage de précision. Dans l'industrie des semi-conducteurs, les pièces en graphite de haute pureté sont principalement utilisées dans des étapes clés des procédés, comme les systèmes thermiques des fours de croissance de monocristaux, les équipements d'épitaxie, les implanteurs ioniques et les équipements de gravure. Parmi les produits spécifiques, on trouve les creusets, les éléments chauffants, les électrodes, les nacelles, les suscepteurs, les écrans, les buses et les revêtements en graphite.

Les plaquettes de silicium sont des disques minces et ronds, fabriqués à partir de barres de silicium monocristallin de haute pureté par un procédé de précision comprenant la découpe, le meulage, la gravure et le polissage. Elles constituent le substrat fondamental pour la fabrication des puces semi-conductrices. Support des circuits intégrés, les plaquettes de silicium comportent des milliards de transistors et d'interconnexions formés à leur surface par des procédés tels que la photolithographie, la gravure, le dépôt et l'implantation ionique. Enfin, elles sont découpées et encapsulées en puces. La pureté, la planéité, la propreté de surface et la qualité cristalline des plaquettes de silicium déterminent directement le rendement et les performances des dispositifs lors de la fabrication des puces. Nos plaquettes de silicium sont fabriquées à partir de barres de silicium monocristallin de haute pureté, produites grâce à la technologie MCZ farad de pointe. Le processus de fabrication comprend la découpe multifilaire, le meulage double face, la gravure chimique et le polissage de précision. La pureté du produit peut atteindre plus de 99,9999999 %, la planéité (TTV) est inférieure à trois micromètres et la rugosité de surface peut descendre jusqu'à 0,1 nanomètre. Les diamètres des plaquettes varient de deux à douze pouces, et nous proposons différents types de plaquettes : polies, recuites et épitaxiées. Nous pouvons également fournir des plaquettes de silicium personnalisées, avec différents types de conductivité, gammes de résistivité et orientations cristallines, selon les besoins de nos clients.

Les anneaux de silicium sont des composants annulaires en silicium monocristallin ou polycristallin de haute pureté, usinés avec précision. Ce sont des consommables essentiels pour les équipements de gravure et de traitement plasma des semi-conducteurs. Ils sont généralement installés dans les chambres de réaction des équipements de traitement des semi-conducteurs, tels que les machines de gravure plasma, de dépôt physique en phase vapeur (PVD) et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Leur rôle est de focaliser le plasma, de protéger les parois internes de la chambre, d'uniformiser la distribution du champ électrique et de garantir l'homogénéité du processus. Grâce à la haute pureté, à la résistance à la corrosion par plasma et à l'excellente conductivité thermique et électrique du silicium monocristallin, les anneaux de silicium conservent des propriétés physico-chimiques stables même dans des environnements plasma difficiles. Nos anneaux en silicium sont fabriqués à partir de silicium monocristallin ou polycristallin de haute pureté, produit grâce à la technologie faradique MCZ de pointe. Leur fabrication repose sur de multiples procédés d'usinage de précision, incluant la découpe, le meulage, le perçage et le polissage, garantissant une pureté supérieure à 99,99999999 %, une précision dimensionnelle de ±0,1 mm et une rugosité de surface inférieure à 0,1 micromètre. Notre gamme comprend des anneaux de focalisation, de protection et de bord de différentes tailles, compatibles avec les équipements de gravure de 2 à 12 pouces. Des conceptions sur mesure sont également disponibles.

Les barres de silicium sont des cristaux de silicium cylindriques de haute pureté, obtenus par les méthodes de Czochralski (CZ) ou de fusion de zone. Elles constituent un matériau essentiel à la fabrication des plaquettes de semi-conducteurs. Ces barres sont fabriquées à partir de silicium polycristallin de qualité électronique, fondu à haute température puis guidé par des germes cristallins dans des conditions de croissance contrôlées. Ce procédé permet d'obtenir des barres de silicium monocristallines à structure cristalline complète ou des barres de silicium polycristallin composées de plusieurs grains. Les barres de silicium monocristallines présentent une orientation cristalline uniforme et une structure cristalline sans défauts, ce qui les rend idéales pour la fabrication de substrats destinés aux puces semi-conductrices haut de gamme, telles que les circuits intégrés et les dispositifs de puissance. Les barres de silicium polycristallin, grâce à leur coût avantageux, sont principalement utilisées dans les cellules photovoltaïques et certains dispositifs semi-conducteurs d'entrée de gamme. Les barres de silicium de notre entreprise sont élaborées grâce à la technologie MCZ (Czochralski magnétique) de pointe, avec une uniformité de résistivité contrôlée à 5 % près et une pureté supérieure à 99,9999999 %. Les diamètres des produits varient de deux à douze pouces, et nous pouvons fournir des tiges de silicium personnalisées avec différents types de conductivité (type N/type P), plages de résistivité et orientations cristallines selon les besoins du client.